薄膜晶體管（TFT）是平板顯示器制造行業的核心技術，其價值相當于硅芯片對計算機行業的影響。在20世紀60年代發明液晶顯示技術的初期，使用簡單的X-Y電極尋址方式對液晶顯示器像素進行尋址，顯示圖像存在大量的串擾，即一個像素會被鄰近像素的變化所干擾；后來提出了在每一個X-Y電極的交叉點設計一個具有開關作用的TFT薄膜晶體管和一個電容，用電容來存儲和保持施加在該像素液晶上的電壓。最早都是使用CdSe作為 TFT的有源層，1980年前后開始研究使用非晶硅材料做有源層的TFT特性。相比純非晶硅，氫化非晶硅（a-Si：H）能通過施主和受主摻雜來分別形成N型和P型半導體材料，氫能鈍化在非晶硅散亂網格中的由位于禁帶中的大量懸掛鍵引起的缺陷態，鈍化過程使得非晶硅具有類似晶體硅的特性。

盡管CdSe比a-Si：H的遷移率更高，但它是一種多晶態化合物半導體，它的特性受晶粒尺寸、晶界界面態和化學計量比等因素影響，且對周圍的水汽和氧氣敏感。a-Si：H無晶界、通過氫的鈍化作用既不改變本體特性，又提高了其電學特性。a-Si：H TFT由于具有優良的電學特性、可在玻璃基板上制作，能部分集成周邊驅動電路等特點，目前已經是應用最廣、工藝最穩定、適合于批量生產的TFT技術。